BSTO/Mg2SiO4/MgO复合材料的介电性能研究

• 作者: 曹菲 梁瑞虹 董显林 陈莹 高敏
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 钛酸锶钡 复合材料 介电性能 可调性
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1013-1018
• 页数: 6页
• 分类号: TM22|TB33
• 字数: 3359字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2005.04.040

摘要

采用传统的电子陶瓷制备工艺制备了BSTO/Mg2SiO4/MgO复合材料,并对样品的结构及其介电性能进行了表征与分析,讨论了Mg2SiO4/MgO掺杂对BSTO/Mg2SiO4/MgO复合材料结构和性能的影响.结果表明,与前其他掺杂改性的BSTO复合材料相比,BSTO/Mg2SiO4/MgO复合材料不仅可以在较低的温度烧结致密,而且在介电常数降低的同时,仍能保持较高的可调性,如BSTO/39wt%Mg2SiO4/17wt%MgO的介电常数εr为～80.21,在2kV/mm的直流偏置电场下,其可调性达到～12%,介电损耗为～0.003.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高敏	中国科学院上海硅酸盐研究所	26	155	8.0	12.0
2	董显林	中国科学院上海硅酸盐研究所	26	211	9.0	14.0
3	曹菲	中国科学院上海硅酸盐研究所	8	97	6.0	8.0
4	陈莹	中国科学院上海硅酸盐研究所	17	120	6.0	10.0
5	梁瑞虹	中国科学院上海硅酸盐研究所	6	71	3.0	6.0