H离子和电子在材料Pm、Nd和Sm中的电离阻止本领

• 作者: 张红 程新路 董芳芳
• 来源期刊: 四川大学学报（自然科学版）
• 学科: 化学
• 关键词: 阻止本领 渗透深度 射程歧离
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1214-1216
• 页数: 3页
• 分类号: O64
• 字数: 1664字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0490-6756.2008.05.042

摘要

离子在物质中的阻止本领是离子与物质相互作用研究的一个重要内容,同时也是进行离子注入材料改性、离子束表面分析和其它离子束技术应用的一个重要参数.本工作从理论模拟的角度,对Pm、Nd和Sm材料受到的辐射损伤进行了研究,利用SRIM2003软件计算了0～120 keV间的H离子在Pm、Nd和Sm材料中的电离阻止本领,从理论上得到了不同能量的电子在Pm、Nd和Sm中的渗透深度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张红	四川大学物理科学与技术学院	79	266	10.0	13.0
2	程新路	四川大学原子分子物理研究所	174	597	12.0	14.0
3	董芳芳	四川大学原子分子物理研究所	2	1	1.0	1.0