B位复合离子取代BNT无铅陶瓷的压电介电性能

• 作者: 刘心宇 单召辉 周昌荣 杨桂华
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 钛酸铋钠 复合离子 压电介电性能 弥散相变
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 页码范围: 1152-1156
• 页数: 5页
• 分类号: TM282
• 字数: 3572字
• 语种: 中文

摘要

采用两步合成工艺,制备了新型Bi1/2Na1/2Tix(Mg1/3Nb2/3)xO3,系无铅压电陶瓷.研究了B位复合离子取代对BNT陶瓷的晶体结构及压电与介电性能的影响.X射线衍射分析表明,所研究的组成均能够形成纯钙钛矿(ABO3)型固溶体;当x=0.015时,该体系陶瓷具有较佳的压电性能:压电常数d33=101 pC/N;k,=0.48.陶瓷材料的介电常数-温度曲线显示该体系材料具有明显的弥散相变特征.该体系陶瓷具有高kt值,低kp值;其比值kt/kp较大,具有较大的各向异性,是一种适合高频下使用的优良的超声换能材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘心宇	桂林电子科技大学信息材料科学与工程系	224	1450	18.0	23.0
2	周昌荣	桂林电子科技大学信息材料科学与工程系	65	286	9.0	12.0
3	单召辉	桂林电子科技大学信息材料科学与工程系	4	15	3.0	3.0
4	杨桂华	桂林工学院电子与计算机系	13	58	5.0	7.0