(Zn1/3Nb2/3)4+取代的BNT系无铅压电陶瓷性能

• 作者: 刘心宇 单召辉 周昌荣
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 无机非金属材料 无铅压电陶瓷 复合离子 钛酸铋钠 (Zn1/3Nb2/3)4+
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 32-34
• 页数: 3页
• 分类号: TM282
• 字数: 2876字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2008.05.010

摘要

采用两步合成工艺,制备了新型Bi1/2Na1/2Ti1-x(Zn1/3Nb2/3)xO3(简称BNTZN-100x)系无铅压电陶瓷.研究了B位复合离子 (Zn1/3Nb2/3)4+取代量对BNT陶瓷介电及压电性能的影响.结果表明:当0.005≤x≤0.020时,该体系陶瓷具有三方、四方共存的准同型相界(MPB)结构.在MPB附近,具有较佳的压电性能:当x 为0.020时,d33 为97 pC/N,kt为0.47.εr - t曲线显示该体系材料具有明显的弥散相变特征.具有高kt值,低kp值;kt / kp较大,具有较大的各向异性,是一种适合高频下使用的优良超声换能材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘心宇	桂林电子科技大学信息材料科学与工程系	224	1450	18.0	23.0
5	周昌荣	桂林电子科技大学信息材料科学与工程系	26	288	9.0	16.0
9	单召辉	桂林电子科技大学信息材料科学与工程系	4	15	3.0	3.0