Sn4+替代Nb5+对Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7陶瓷性能的影响

• 作者: 丁士华 宋天秀 张东 张红霞 陈涛
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 无机非金属材料 Bi2O3-ZnO-Nb2O5陶瓷 介电弛豫 介电性能
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 32-34
• 页数: 3页
• 分类号: TM28
• 字数: 1936字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2008.01.010

摘要

采用固相反应法制备了Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7(BZN)微波陶瓷,并借助XRD、SEM及LCR4284测试仪,研究了Sn4+取代Nb5+对BZN陶瓷显微结构和介电性能的影响.结果表明:随着Sn4+替代量的增加,微观形貌中出现棒晶;选取20～80℃,100 kHz时的εr计算,介电常数温度系数由205×10-6/℃逐渐减小到-240×10-6/℃;当替代量x(Sn4+)为0.16时,样品出现介电弛豫现象;随着测试频率的增加,介电弛豫峰向高温移动.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丁士华	西华大学材料科学与工程学院	111	243	8.0	10.0
2	宋天秀	西华大学材料科学与工程学院	88	200	7.0	10.0
3	陈涛	西华大学材料科学与工程学院	28	45	4.0	4.0
4	张红霞	西华大学材料科学与工程学院	15	30	3.0	4.0
5	张东	西华大学材料科学与工程学院	19	44	4.0	5.0