室温下(Ga,Mn)As中载流子的自旋弛豫特性

• 作者: 刘晓东 文锦辉 林位株 王玮竹 赖天树 赵建华 高瑞鑫
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: (Ga,Mn)As稀磁半导体 时间分辨克尔光谱 电子自旋弛豫 DP机理
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 3857-3861
• 页数: 5页
• 分类号: O6
• 字数: 3905字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.06.092

摘要

运用飞秒时间分辨抽运-探测克尔光谱技术,研究了室温下退火及未退火(Ga,Mn)As的载流子自旋弛豫的激发能量密度依赖性,发现电子自旋弛豫时间随激发能量密度增加而增大,而在同一激发能量密度下,退火样品比未退火样品具有更短的载流子复合时间、电子自旋弛豫时间和更大的克尔转角,显示DP机理是室温下(Ga,Mn)As的电子自旋弛豫的主导机理.退火(Ga,Mn)As的超快克尔增强效应显示其在超高速全光自旋开关方面的潜在应用价值,也为(Ga,Mn)As铁磁性起源的p-d交换机理提供了证据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵建华	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	68	886	17.0	27.0
2	王玮竹	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	4	1	1.0	1.0