杂质引起MgO退化的关系和PDP中的消气特性

• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化镁 污染物 吸气法
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 自发光显示器
• 页码范围: 1-6
• 页数: 6页
• 分类号: TN873.94
• 语种: 中文

摘要

在PDP技术中,MgO 的关键作用已经被认识.二次电子的高释放能力,低溅射率和高电阻率使得这个材料适用于PDP 中.然而,在 PDP 的生产过程中,MgO 层将要经受几次在苛刻环境条件下的高温循环.在这个过程中,由于水气和二氧化碳的出现,进入 MgO 而形成污染,这种污染行为已广泛被报道.镁的氢氧化物和镁的碳氧化物都很容易飞溅,会减少平板的寿命,增加放电电压,影响功率消耗;降低透明度,更促使显示效果退化.解决 MgO 杂质的方法是基于应用一些除气作用能比在氧化层上杂物的吸附作用的速度更快的消气剂材料,并提出一个结构适当的吸附消气系统,从开始到整个工作寿命期里进行良好不变的吸附.最后,确定一个在减小 MgO 杂质的吸附结构的效果的模型.