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摘要:
MOS场引晶体管双极理论和实验;ZnO纳米线的低温生长及其发光特性;用纳米棒ZnO作模板生长无支撑的AIN纳米晶;Ka频段PHEMT 1W功率单片放大器;采用SiGe虚拟衬底高迁移率应变硅材料的制备和表征
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关键词云
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文献信息
篇名 半导体技术
来源期刊 中国学术期刊文摘 学科 工学
关键词 氧化锌纳米线 低温生长 发光特性 晶体管双极理论
年,卷(期) 2008,(6) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 130-138
页数 9页 分类号 TN386.1
字数 语种 中文
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研究主题发展历程
节点文献
氧化锌纳米线
低温生长
发光特性
晶体管双极理论
研究起点
研究来源
研究分支
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相关学者/机构
期刊影响力
中国学术期刊文摘
半月刊
1005-8923
11-3501/N
北京市海淀区学院南路86号
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