基于BiFET结构的宽带低噪声放大器设计

• 作者: 梁锋 王倩 王永利 高建军 黄亚森
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 低噪声放大器 BiFET结构 切比雪夫滤波器
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 电路
• 页码范围: 596-599
• 页数: 4页
• 分类号: TN433|TN722
• 字数: 2077字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2008.02.053

摘要

采用0.35 μm siGe BiCMOS工艺实现了双极型晶体管和场效应管结合结构(BiFET结构)的宽带低噪声放大器.电路的输入端采用切比雪夫带通滤波器实现了宽频带范围的阻抗匹配.版图设计的仿真结果表明,在2～3 GHz的频带范围内,该低噪声放大器的噪声系数为2.2～2.7 dB,增益为20～22.7 dB,输入端反射系数为-17～-12 dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高建军	东南大学信息科学与工程学院	11	44	4.0	6.0
2	王永利	东南大学信息科学与工程学院	24	516	12.0	22.0
3	王倩	东南大学信息科学与工程学院	34	100	5.0	9.0
4	黄亚森	东南大学信息科学与工程学院	2	2	1.0	1.0
5	梁锋	东南大学信息科学与工程学院	2	9	2.0	2.0