真空退火对碳纳米管电子特性的影响

• 作者: 叶甜春 吴军 陈大鹏 陈永胜 黄钦文
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 碳纳米管 吸附 气体传感器 CVD
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 光电器件,显示技术
• 页码范围: 428-431
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.1|TP212
• 字数: 2380字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2008.02.012

摘要

以Al/Fe为催化剂,使用热CVD法在硅片表面垂直生长碳纳米管.研究了不同温度下,未经高温真空退火的碳纳米管吸附和解吸乙醇蒸汽时,碳纳米管电学特性的变化规律.把碳纳米管在真空下(＜1 Pa)进行高温(150℃)退火,对经过退火的碳纳米管在不同温度下,吸附和解吸乙醇蒸汽后电学特性的变化规律进行研究.实验结果表明,未经高温真空退火的碳纳米管电学特性表现出p型半导体特性,经过高温真空退火后,碳纳米管的电学特性变为n型半导体特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶甜春	中国科学院微电子研究所	200	911	14.0	18.0
2	陈大鹏	中国科学院微电子研究所	79	466	10.0	17.0
3	黄钦文	中国科学院微电子研究所	5	22	3.0	4.0
4	陈永胜	南开大学功能高分子材料教育部重点实验室	7	5	1.0	2.0
5	吴军	南开大学功能高分子材料教育部重点实验室	3	7	2.0	2.0