Halo LDDP-Si TFT工艺参数优化

• 作者: 刘小红 顾晓峰
• 来源期刊: 电脑知识与技术：学术交流
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅薄膜晶体管 HALO LDD 模拟
• 年，卷（期）: dnzsyjsxsb_2008,（10）
• 页码范围: 211-212
• 页数: 2页
• 分类号: TN432

摘要

该文提出了多晶硅薄膜晶体管的一种Halo LDD新结构，Halo LDD结构能够有效地抑制短沟道效应，合理的Halo区掺杂分布会极大地改善小尺寸器件性能。文中采用工艺模拟软件Tsuprem4和器件模拟软件Medici研究模拟了Halo结构的工艺参数对器件性能的影响，并进行优化。分析表明，Halo注入角度、能量和剂量的增大会提高器件的阂值电压和开关比，降低泄漏电流和阀值漂移，有效的抑制热栽流子效应；但也会部分地降低驱动能力，因此，要综合考虑，根据具体的条件，得到Halo结构最佳的工艺参数。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘小红	江南大学信息工程学院	5	2	1.0	1.0
2	顾晓峰	江南大学信息工程学院	115	265	9.0	11.0