适用于PCI-E接口的高速FIFO电路设计

• 作者: 刘伯安 吕超
• 来源期刊: 科技与创新
• 关键词: 先入先出 动态存储器 版图自动生成
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 电子设计
• 页码范围: 259-260,263
• 页数: 3页
• 分类号: TN402|TN495
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-0570.2008.11.104

摘要

论文给出了一种适用于PCI-Express接口的用0.18μm标准CMOS工艺实现的基于动态存储器(DRAM)内核的高速大容量先入先出存储器(FIFO)电路及其版图设计.电路采用分块和Cell级连技术实现了高速、大容量的存储模块,外围电路用硬件描述语言(HDL)描述,存储模块版图用SKILL语言和ROD (Relative Object Design)编程实现,DRAM内核工作时钟频率达500M.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘伯安	清华大学微电子研究所	16	65	5.0	7.0
2	吕超	清华大学微电子研究所	2	4	2.0	2.0