半导体技术

• 来源期刊: 中国学术期刊文摘
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体技术 高电子迁移率晶体管 低压差线性稳压器 宽带功率放大器 截止频率 HEMTs 扩散理论 功率增益
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 页码范围: 180-183
• 页数: 4页
• 分类号: TN3|TN32
• 语种: 中文

摘要

双极场引晶体管Ⅱ.飘移扩散理论(双MOS栅纯基);功率增益截止频率为183GHz的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As HEMTs;截止频率为218GHz的超高速晶格匹配In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As高电子迁移率晶体管;一个4~12GHz混合集成宽带功率放大器;一种高稳定性高精度低压差线性稳压器的分析与设计……