半导体技术

• 来源期刊: 中国学术期刊文摘
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体技术 CMOS射频集成电路 静电感应晶闸管 ESD保护 AC-DC MOS结构 器件结构 晶体管
• 年，卷（期）: 2008,（16）
• 页码范围: 141-144
• 页数: 4页
• 分类号: TN3|TN92
• 语种: 中文

摘要

场引晶体管双极理论:X.基本物理和理论(所有器件结构);CMOS射频集成电路ESD保护的挑战;静电感应晶闸管在阻断态时的SIT-BJT等效工作模型;一种高效率全pMOS结构AC-DC电荷泵.