体块氧化锌单晶生长的研究进展

• 作者: 姚淑华 宋伟 张素芳 王继扬
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氧化锌单晶 化学气相输运法 水热法 助熔剂法 缺陷
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 综合评述
• 页码范围: 325-330
• 页数: 6页
• 分类号: O782
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0454-5648.2009.02.030

摘要

氧化锌(ZnO)是一种极其重要的半导体材料,具有宽带隙(3.37eV)和高激子结合能(60meV),适合制作短波长发光二极管和激光二极管.综述了体块ZnO单晶的主要生长方法:化学气相输运法、水热法、助溶剂法的原理和优缺点;着重探讨了水热法和助溶剂法的生长参数及所生长ZaO单晶的特征;结合KOH+H2O体系,论述了助熔剂法的反应机理.介绍了体块ZaO单晶中存在的缺陷及其对ZnO性质的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王继扬	山东大学晶体材料国家重点实验室	200	1444	21.0	30.0
2	宋伟	山东大学晶体材料国家重点实验室	53	400	6.0	18.0
3	张素芳	山东大学晶体材料国家重点实验室	12	23	3.0	4.0
5	姚淑华	山东大学晶体材料国家重点实验室	7	31	4.0	5.0