定向SnO2纳米管的阵列制备及其场发射性能

• 作者: 李子炯 王海燕 秦臻
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 二氧化锡 纳米管 阵列 高频感应 场发射 开启电场
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 所属期刊栏目: 纳米材料与结构
• 页码范围: 346-349,357
• 页数: 5页
• 分类号: TB383|TN304.21
• 字数: 2459字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2009.06.005

摘要

SnO2纳米材料由于其优异的性能和在纳米电子器件以及气敏传感器等方面的潜在应用受到了广泛关注,快速大量制备SnO2纳米管(线)是其规模化应用的前提.利用自制的高频感应设备在Si基底上快速生长出定向的SnO2纳米管阵列,由SEM和TEM分析可知,SnO2纳米管直径达到50～100 nm.场发射结果表面制备的SnO2纳米管阵列具有较低的开启电压,即当产生的电流密度为10 uA/cm2时所对应的电场只有1.64 V/μm,这一数值低于碳纳米管和其他一维氧化物纳米材料的开启电场,同时所制备的产物具有良好的场发射稳定性,良好的场发射性能说明SnO:纳米管在场发射平板显示及真空电子器件方面具有较好的应用潜力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王海燕	郑州轻工业学院郑州轻工业学院技术物理系	28	48	4.0	4.0
2	秦臻	华北水利水电学院数学与信息科学学院	5	13	2.0	3.0
3	李子炯	郑州轻工业学院郑州轻工业学院技术物理系	5	4	1.0	1.0