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摘要:
提出了一种用于半导体辐射探测器读出的CMOS前端电路,该ASIC电路包含电荷灵敏放大器、跨导-电容型脉冲成形器、峰值检测/保持电路和甄别器,后两者结合一些逻辑电路实现了抑制脉冲成形器输出波形尾缘堆积的功能.该电路采用0.5μm、双硅三铝CMOS标准工艺设计,其核心模块电荷灵敏放大器和成形器经过了流片测试.仿真和测试结果验证了该电路的功能.
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内容分析
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文献信息
篇名 一种具有堆积抑制功能的半导体辐射探测器前端ASIC电路
来源期刊 北京大学学报(自然科学版) 学科 工学
关键词 辐射探测器 前端电路 堆积抑制
年,卷(期) 2009,(1) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 54-58
页数 5页 分类号 TN492
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 吉利久 47 298 11.0 15.0
2 鲁文高 17 80 5.0 8.0
3 陈中建 22 104 6.0 9.0
4 赵宝瑛 13 80 5.0 8.0
5 张雅聪 6 22 2.0 4.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
辐射探测器
前端电路
堆积抑制
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
北京大学学报(自然科学版)
双月刊
0479-8023
11-2442/N
16开
北京海淀北京大学校内
2-89
1955
chi
出版文献量(篇)
3152
总下载数(次)
8
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