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Influence of dislocations in the GaN layer on the electrical properties of an AlGaN/GaN heterostructure
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| 篇名 | Influence of dislocations in the GaN layer on the electrical properties of an AlGaN/GaN heterostructure | ||
| 来源期刊 | 中国物理B（英文版） | 学科 | |
| 关键词 | GaN edge dislocation piezoelectric polarization two-dimensional electron gas | ||
| 年，卷（期） | 2009,（11） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 4970-4975 | |
| 页数 | 6页 | 分类号 | |
| 字数 | 语种 | 英文 | |
| DOI | |||
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GaN
edge dislocation
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期刊影响力
中国物理B(英文版)
主办单位：
中国物理学会和中国科学院物理研究所
出版周期：
月刊
ISSN：
1674-1056
CN：
11-5639/O4
开本：
出版地：
北京市中关村中国科学院物理研究所内
邮发代号：
创刊时间：
语种：
eng
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17050
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