纳米SiO2形成柯石英的p-T相图

• 作者: 刘晓梅 孙敬姝 宋更新 张广强 张琳 徐跃 王德涌 苏文辉 薛燕峰 许大鹏
• 来源期刊: 高压物理学报
• 关键词: 纳米二氧化硅 α-石英 柯石英 高压高温 硅羟基
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 页码范围: 9-16
• 页数: 8页
• 分类号: O521.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5773.2009.01.002

摘要

使用纳米SiO2粉体为原料,在2.0～4.2GPa、150～1200℃范围内进行了一系列的高压高温实验研究,得到了该压力温度范围内晶化产物α-石英与柯石英的p-T相图,而且该相图中的相边界在650℃以下斜率为负,在650℃以上基本水平.通过X射线衍射仪(XRD)、Raman光谱仪(Raman)、傅立叶红外光谱仪(FT-IR)、DSC-TGA差热分析仪(TG-DTA)等表征手段,发现纳米SiO2原粉中水分(包含Si-OH和吸附水)的存在能显著降低合成柯石英的温度和时间,在4.2GPa压力下得到了目前合成柯石英的最低温度190℃.常压下,合成的柯石英在800℃以下能够稳定存在,在1000℃以上转化为α-方石英.