一种基于锡锑氧化物的透明PN结及整流特性

• 作者: 周荣福 季振国 曹虹 毛启楠 霍丽娟
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 透明半导体薄膜 锡锑氧化物 PN结
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1259-1262
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 字数: 432字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1077.2009.09217

摘要

利用反应磁控溅射法制备了半导体锡锑氧化物薄膜 (TAO). 根据霍尔效应测试结果,当Sn/Sb 原子比处于0.22~0.33范围内时,TAO薄膜是p型导电的,在此范围之外,TAO薄膜是n型导电的. 光学带隙测量结果表明,不同Sn/Sb比的TAO薄膜的禁带宽度基本相同(～3.9eV).构造了一个全透明的PN结,其中n区为Sn/Sb原子比为0.5的TAO薄膜, p区为Sn/Sb原子比为0.33的TAO薄膜.n区TAO的电极用铟锡氧化物(ITO),p区TAO的电极用Cu薄膜.实验结果表明,由于两种导电类型的TAO薄膜具有相同的禁带宽度,上述透明PN结构具有典型的准同质PN结的整流特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	季振国	杭州电子科技大学电子信息学院	48	467	12.0	19.0
5	毛启楠	浙江大学硅材料国家重点实验室	6	10	2.0	2.0
6	周荣福	杭州电子科技大学电子信息学院	1	1	1.0	1.0
7	霍丽娟	浙江大学硅材料国家重点实验室	2	5	1.0	2.0
8	曹虹	浙江大学硅材料国家重点实验室	2	1	1.0	1.0