利用空气桥技术实现InP基共振遂穿二极管器件

• 作者: 张政 耿涛 薛舫时 邹鹏辉 陈辰 韩春林 高建峰
• 来源期刊: 中国电子科学研究院学报
• 学科: 工学
• 关键词: 共振遂穿二极管 电子束光刻 空气桥
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 基础理论
• 页码范围: 516-518
• 页数: 3页
• 分类号: TN312.2
• 字数: 1513字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-5692.2009.05.015

摘要

优化设计了InGaAs／AlAs／InP共振遂穿二极管(RTD)材料结构,并用MBE设备在(100)半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料.用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RTD器件.在室温下测试了器件的电学特性:峰值电流密度78 kA／cm2,峰谷电流比(PVCR)为7.8.用空气桥互连技术实现该类器件,在国内尚属首次.