电沉积Ag/Sn偶界面反应及其动力学

• 作者: HE An-qiang IVEY G D LIU Qi 汤文明
• 来源期刊: 中国有色金属学报
• 学科: 化学
• 关键词: 电沉积 电子封装材料 界面反应 反应动力学
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 功能材料
• 页码范围: 930-935
• 页数: 6页
• 分类号: TQ153.2|O643.1
• 字数: 3906字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-0609.2009.05.023

摘要

采用扫描电子显微镜(SEM)、电子能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)对室温时效及125～225 ℃热处理的电沉积Ag/Sn偶反应区结构及相组成进行分析,研究Ag/Sn界面固相反应的动力学过程.研究表明:在刚电沉积的Ag/Sn偶中发生Ag/Sn界面固相反应,形成Ag3Sn;在室温时效过程中Ag3Sn层生长缓慢,但随着热处理温度的提高(125～200 ℃),Ag3Sn层生长速率显著提高;Ag/Sn界面固相反应为一扩散控制的反应过程,反应的激活能为70.0 kJ/mol.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	汤文明	合肥工业大学材料科学与工程学院	104	841	16.0	23.0