碲镉汞探测器制备湿法和干法工艺的研究进展

• 作者: 唐利斌 王忆锋
• 来源期刊: 光电技术应用
• 学科: 工学
• 关键词: 碲镉汞 红外光子探测器 湿法刻蚀 干法刻蚀 离子注入
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 1-8,14
• 页数: 9页
• 分类号: TN305
• 字数: 6234字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-1255.2009.03.001

摘要

由于材料性质比较敏感,碲镉汞探测器的制备一直是一项具有挑战性的仟务.用湿法化学刻蚀可以成功地制备图形特征尺寸宽度在50～60μm的一代器件.对于二代和三代器件,例如高密度焦平面器件、雪崩光电二极管、双色探测器及多光谱探测器等,干法工艺特别是高密度等离子体刻蚀可以减小这些器件所需要的光敏元间距,显著提高填充因子.有一定深度并且较窄的沟道要求具有高纵横比,同时还要求侧边平滑、均匀性高,这些需要推动了干法刻蚀的发展.主要通过对2000年以来部分英语期刊文献的门纳分析,介绍了碲镉汞器件制备中湿法和干法处理工艺特别是干法工艺的研究进展.刻蚀机制的深入理解涉及化学、物理和电学等多种学科.对于大面积器件的制备,为了获得较好的可生产性和均匀性,需要优化刻蚀过程.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐利斌		60	279	10.0	12.0
2	王忆锋		138	654	13.0	16.0