学习障碍儿童的事件相关脑电位研究

• 作者: 冯菁菁 张凯峰 徐秀
• 来源期刊: 中国儿童保健杂志
• 学科: 医学
• 关键词: 学习障碍 事件相关电位P300 儿童
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 科研论著
• 页码范围: 536-538
• 分类号: R749.94
• 语种: 中文

摘要

[目的]探索学习障碍(learning disabilities,LD)儿童的事件相关脑电位(P300)的特点,为临床诊治提供依据.[方法]采用修订版儿童学习障碍筛查量表(PRS)结合韦氏智测量表得分及学习成绩入组LD儿童38例,正常对照组26例.对所有对象进行儿童韦氏量表、P300测试;对LD患儿进行相应学习能力训练治疗并随访其P300.[结果]①LD组与对照组比较:靶P2、N2、P3潜伏期延长,差异有显著性(P＜0.05),P3波幅下降差异有显著性(P＜0.05),②LD组训练前后比较:P300各潜伏期均有显著性缩短(P＜0.01);P3波幅改变差异无显著性.[结论]LD儿童P300潜伏期延长,波幅低,存在脑认知功能缺陷,事件相关脑电位P300可作为临床评价LD患儿听觉认知功能的脑电生理指标.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张凯峰	上海复旦大学附属儿科医院儿童保健科	5	7	2.0	2.0
2	冯菁菁	上海复旦大学附属儿科医院儿童保健科	3	3	1.0	1.0
3	徐秀	上海复旦大学附属儿科医院儿童保健科	6	15	2.0	3.0