立方磁晶各向异性对面内场下硬磁畴的影响

• 作者: 孙会元 尹世忠
• 来源期刊: 河北科技大学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 临界面内场 硬磁泡 垂直布洛赫线
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 数理科学与化学
• 页码范围: 193-196
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1
• 字数: 2183字
• 语种: 中文

摘要

实验研究了立方磁晶各向异性对面内场作用下非压缩状态的三类硬磁畴(普通硬磁泡(OHB)、第Ⅰ类哑铃畴(ID)和第Ⅱ类哑铃畴(IID))畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的影响,发现对应于垂直布洛赫线消失的临界面内场的数值变化与磁畴消失场的数值变化规律相反,且该临界面内场的变化呈六重对称性.此外,发现立方磁晶各向异性对垂直布洛赫线消失的临界面内场的影响很小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	尹世忠	邢台学院物理系	20	40	4.0	6.0
2	孙会元	河北师范大学物理科学与信息工程学院	38	76	5.0	6.0