热CVD法制备的碳纳米管线阵列的场发射特性

• 作者: 刘霞 吕文辉 孙晓娟 宋航 曹连振 李志明 缪国庆 蒋红 赵海峰 郭万国 阎大伟
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 碳纳米管 线阵列 热化学气相淀积 场发射特性
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 器件制备技术及器件物理
• 页码范围: 43-47
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.1+8|TN383+.1
• 字数: 2751字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2009.01.009

摘要

采用半导体光刻技术在硅衬底上获得图形化掩膜,然后用热化学气相淀积(T-CVD)的方法制备了图形化的碳纳米管线阵列,用扫描电镜和拉曼光谱仪对碳纳米管进行了表征.研究了图形化碳纳米管线阵列的场发射特性,并与无图形化处理的碳纳米管薄膜样品的场发射特性进行了比较.当发射电流密度达到10 μA/cm2时,无图形化处理的碳纳米管薄膜、10 μm碳纳米管线阵列以及2 μm碳纳米管线阵列样品的开启电场分别为3 V/μm、2.1 V/μm和1.7 V/μm;而当电场强度达3.67 V/μm时,相应的电流密度分别为2.57 mA/cm2、4.65 mA/cm2和7.87 mA/cm2. 实验结果表明,图形化处理后的碳纳米管作为场发射体,其场发射特性得到了明显的改善.对改善的原因进行了分析和讨论.