硅衬底MgB2-B-MgB2超导SNS约瑟夫森结的制备与特性

• 作者: 刘珏 周迪帆 张义邴 曾敏 朱红妹 柯一青
• 来源期刊: 低温物理学报
• 关键词: 约瑟夫森结 MgB2 超导薄膜 电子束蒸发 Si衬底
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 页码范围: 166-170
• 页数: 5页
• 语种: 中文

摘要

利用两步原位电子束蒸发技术,在Si(111)衬底上制备了MgB2-B-MgB2超导SNS约瑟夫森夹心结.夹心硼(B)层厚度从10nm到80nm范围内MgB2-B-MgB2/Si(111)薄膜表现出明显的SNS约瑟夫森结特性,而在5nm和100nm处薄膜分别是整体超导和正常金属特性.在同一温度下,随着硼层厚度的增加,临界结电流减小,对同一厚度下,临界结电流随着温度的增加而减小.同时,实验指出,夹心硼SNS超导MgB2约瑟夫森结的电流-电压(I-V)曲线具有回滞现象,符合SM模型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义邴		23	42	3.0	5.0
2	朱红妹		12	18	2.0	4.0
3	刘珏		7	26	2.0	5.0
4	曾敏		6	3	1.0	1.0
5	周迪帆		5	9	2.0	3.0
6	柯一青		3	9	2.0	3.0