快速热处理对氮化硅减反射性能的影响

• 作者: 姚剑 席珍强 徐敏 杜平凡 王龙成
• 来源期刊: 浙江理工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化硅 快速热处理 减反射
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 化学化工
• 页码范围: 203-206
• 页数: 4页
• 分类号: TB34
• 字数: 2016字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-3851.2009.02.012

摘要

采用快速热处理对电池片表面非晶氮化硅膜进行不同温度和不同时间热处理退火比较,研究退火对薄膜减反射性能的影响.结果显示:随着快速热处理温度的升高,其达到较优减反射性能所需的热处理时间缩短;当热处理温度高于800℃时,其减反射性能普遍变差;得出较优的热处理方案为退火温度750℃,退火时间10 s,其加权平均反射率为1.59%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	席珍强	浙江理工大学材料工程中心	36	71	5.0	7.0
2	王龙成	浙江理工大学材料工程中心	32	59	5.0	7.0
3	杜平凡	浙江理工大学材料工程中心	21	77	5.0	8.0
4	姚剑	浙江理工大学材料工程中心	7	10	2.0	3.0
5	徐敏	浙江理工大学材料工程中心	9	66	4.0	8.0