自蔓延制备氮化硅粉体的生长机理

• 作者: 乔瑞庆 汪方文
• 来源期刊: 沈阳工业大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化硅 自蔓延 稀释剂 形成机理 长大方式
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 材料科学与工程
• 页码范围: 186-190
• 页数: 5页
• 分类号: TB174.1
• 字数: 4463字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-1646.2009.02.015

摘要

针对自蔓延制备氮化硅过程迅速,但可控性差的问题,研究了氮化硅晶粒在自蔓延中的生长过程及一些特殊形状晶粒形成的原因.通过设计累积试验、借助扫描电镜观察粉体形貌、讨论分析氮化硅α相和β相形成机理说明,颗粒有限长大是生长和分解达到平衡后实现的,波浪形和凹面状颗粒是晶粒在类似液相烧结和固相烧结共同作用下产生的,"树杈"状颗粒是β相氮化硅在氮化硅"籽晶"上生长和液相烧结作用下形成的.研究表明,要减小自蔓延制备氮化硅粉体的粒度、阻碍颗粒异常长大,需要合理控制稀释剂比例,降低反应温度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	乔瑞庆	沈阳工业大学材料科学与工程学院	12	55	3.0	7.0
2	汪方文	沈阳工业大学材料科学与工程学院	1	3	1.0	1.0