TCVI工艺制备C/C复合材料的多物理场耦合模拟

• 作者: 李克智 李贺军 焦妍琼
• 来源期刊: 中国科学E辑
• 关键词: C/C复合材料 热梯度化学气 相渗积 多物理场耦合 模拟
• 年，卷（期）: 2009,（11）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 1804-1809
• 页数: 6页
• 语种: 中文
• DOI: 10.1007/s11431-009-0163-8

摘要

采用2D轴对称瞬态模型对热梯度化学气相渗积(TCVD工艺制备高性能C/C复合材料过程进行模拟.模型包括对流、热传导、扩散、沉积反应和孔隙演变等物理化学过程.采用有限元方法实现了多物理场迭代耦合计算,得到了各时刻流场、温度场和密度分布规律,研究表明对流对温度场分布具有重要影响.对于采用TCVI工艺致密化100h的C/C复合材料,对比实验测得的预制体平均密度径向分布,计算结果与实验结果符合一致规律,验证了模型的可靠性和模拟计算的预测能力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李贺军		351	3778	28.0	39.0
2	李克智		171	1707	23.0	30.0
3	焦妍琼		1	0	0.0	0.0