InAs/GaAs单量子点中电子/空穴自旋弛豫

• 作者: 孙宝权 李文生
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 量子点 激子 自旋翻转时间
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 页码范围: 668-672
• 页数: 5页
• 分类号: O472.3
• 字数: 3209字
• 语种: 中文

摘要

利用分子束外延制备了三种类型量子点样品,它们分别是:未掺杂样品、n型Si调制掺杂样品和p型Be调制掺杂样品.在5 K温度下,采用共聚焦显微镜系统,测量了单量子点的光致发光谱和时间分辨光谱, 研究了单量子点中三种类型激子(本征激子、负电荷激子和正电荷激子)的电子/空穴自旋翻转时间.它们的自旋翻转时间常数分别为: 本征激子的自旋翻转时间约16 ns, 正电荷激子中电子的自旋翻转时间约2 ns, 负电荷激子中空穴的自旋翻转时间约50 ps.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙宝权	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	20	17	2.0	3.0
2	李文生	通辽职业学院生物化工系	8	8	2.0	2.0