碳热还原-常压烧结法制备多孔氮化硅陶瓷

• 作者: 杨建锋 陆伟忠 陕绍云 高积强 鲁元
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳热还原 常压烧结法 多孔氮化硅
• 年，卷（期）: 2009,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文,中文
• 页码范围: 1277-1281
• 页数: 5页
• 分类号: TQ171
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0454-5648.2009.08.002

摘要

采用SiO2和α-Si3N4在氮气中通过碳热还原-常压反应烧结法,原位反应制备了氮化硅多孔陶瓷.由于反应中存在大量的质量损失,烧结的制品为高气孔的材料.通过改变原料中α-Si3N4与SiO2和C粉的相对含量,可以形成具有细小针状结构的β-Si3N4晶粒,以此获得气孔率可控的高性能的多孔氮化硅材料.随着原料中α-Si3N4含量的增大,烧结后,样品的总质量损失逐渐减小,收缩率逐渐降低,气孔率逐渐减小,弯曲强度逐渐增大.当α-Si3N4的质量分数为50%时,碳热还原-常压反应烧结的样品中的β-Si3N4晶粒具有更高的长径比,样品气孔率为68.7%,具有优良的力学性能,弯曲强度达到37.7MPa.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高积强	西安交通大学金属材料强度国家重点实验室	69	664	17.0	20.0
2	杨建锋	西安交通大学金属材料强度国家重点实验室	48	283	10.0	14.0
3	陕绍云	西安交通大学金属材料强度国家重点实验室	3	48	3.0	3.0
4	鲁元	西安交通大学金属材料强度国家重点实验室	2	26	2.0	2.0
5	陆伟忠	西安交通大学金属材料强度国家重点实验室	2	26	2.0	2.0