无压烧结氮化硅陶瓷的致密化过程

• 作者: 刘文勇 孙振飞 李建斌 蒋强国
• 来源期刊: 粉末冶金材料科学与工程
• 关键词: Si3N4陶瓷 无压烧结 收缩 致密化过程 TOM-AC
• 年，卷（期）: 2020,（3）
• 所属期刊栏目: 工艺技术
• 页码范围: 191-196
• 页数: 6页
• 分类号: TQ174
• 语种: 中文

摘要

在陶瓷粉末中添加Al2O3-Y2O3作为助烧剂,经过干压和冷等静压成形,然后无压烧结制备Si3N4陶瓷,通过TOM-AC实时观测烧结过程中Si3N4陶瓷样品的收缩和致密度变化;分析不同温度烧结的陶瓷结构与形貌,并研究Si3N4陶瓷的致密化过程.结果表明:1400℃时α-Si3N4开始转变为β-Si3N4,在1400～1600℃范围内致密度快速增大,且压坯密度越高,致密化速率越快.烧结温度高于1600℃时,α-Si3N4全部转变为β-Si3N4柱状晶,晶粒明显长大,致密化速率降低.压坯密度对最终的烧结致密度影响不大.由此确定最佳烧结工艺为1650℃与1800℃分别保温2 h,所得Si3N4陶瓷的致密度为98.4%,硬度(HV10)为15.7±0.5 GPa,抗弯强度和断裂韧性分别为1037.3±48.9 MPa和5.8±0.2 MPa·m1/2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李建斌	广东工业大学先进加工工具与高技术陶瓷研究中心	3	0	0.0	0.0
2	蒋强国	广东工业大学先进加工工具与高技术陶瓷研究中心	11	51	5.0	6.0
3	刘文勇	广东工业大学先进加工工具与高技术陶瓷研究中心	1	0	0.0	0.0
4	孙振飞	广东工业大学先进加工工具与高技术陶瓷研究中心	1	0	0.0	0.0