GaN/SiO2刻蚀选择比的研究

• 作者: 付铁利 唐兰香 肖国华 郑珏琛
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 选择比 电感耦合等离子体 干法刻蚀 氮化镓 偏置功率
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 显微、测量、微细加工技术与设备
• 页码范围: 250-253
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.23|TN305.7
• 字数: 2075字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2009.04.011

摘要

在干法刻蚀GaN时使用SiO2作为掩蔽物,为了在较快的GaN刻蚀速率下获得良好的GaN/SiO2刻蚀选择比,使用电感耦合等离子刻蚀机(ICP),运用Cl2和Ar作为刻蚀气体,改变ICP功率、直流自偏压、气体总流量、气体组分等工艺条件,并讨论了这些因素对GaN/SiO2刻蚀选择比以及对GaN刻蚀速率的影响.实验结果获得了GaN在刻蚀速率为165 nm/min时的GaN/SiO2选择比为8:1.设备验收时GaN刻蚀速率为70 nm/min,GaN/SiO2选择比为3.5:1,可以应用于实际生产.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	肖国华		1	0	0.0	0.0
2	付铁利		1	0	0.0	0.0
3	郑珏琛		1	0	0.0	0.0
4	唐兰香		1	0	0.0	0.0