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摘要:
采用2DMOS模拟软件对数据线与其相邻像素电极所构成的耦合电容Cpd进行了模拟,重点研究了介电常数对数据线左右侧的耦合电容Cpd的影响机理及趋势.通过模拟得出:数据线左侧的耦合电容Cpd主要受液晶层间的电场力影响,数据线右侧的耦合电容Cpd主要受到耦合电容Cpd间的电场力影响,而总耦合电容Cpd中占主要部分的是右侧耦合电容Cpd,因此可通过降低右侧耦合电容Cpd的方法来降低总耦合电容Cpd.
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文献信息
篇名 液晶介电常数对耦合电容的影响
来源期刊 液晶与显示 学科 工学
关键词 液晶显示器 介电常数 耦合电容
年,卷(期) 2009,(2) 所属期刊栏目 器件制备技术及器件物理
研究方向 页码范围 193-198
页数 6页 分类号 TN27
字数 4341字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1007-2780.2009.02.008
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作者信息
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节点文献
液晶显示器
介电常数
耦合电容
研究起点
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
液晶与显示
月刊
1007-2780
22-1259/O4
大16开
长春市东南湖大路3888号
12-203
1986
chi
出版文献量(篇)
3141
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7
总被引数(次)
21631
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