陷阱分布模型对非晶Si太阳电池性能的影响

• 作者: 吴正军 顾晓峰
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 非晶硅 太阳电池 P型一本征型-n型半导体(PIN) 陷阱模型 光电特性
• 年，卷（期）: 2009,（7）
• 所属期刊栏目: 纳米器件与技术
• 页码范围: 391-395
• 页数: 5页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 2651字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2009.07.002

摘要

利用TCAD软件模拟分析了ITO/p-a-Si:H/I-a-Si:H/n-a-Si:H结构的非晶硅太阳电池的J-V特性,研究了不同缺陷分布模型对太阳电池光电特性的影响.利用一种较精确的陷阱模型优化了太阳电池的结构参数,重点研究了本征层厚度对太阳电池光电特性的影响.模拟实验表明,氢化非晶硅(a-Si:H)PIN结构太阳电池本征层厚度存在一个最佳区间,在该区间电池总体性能较为理想,包括对应的光电转换效率达到峰值.得到的a-Si:H太阳电池填充因子可达到约0.8,最高光电转换效率可达到约13%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾晓峰	江南大学信息工程学院	115	265	9.0	11.0
2	吴正军	江南大学信息工程学院	3	6	1.0	2.0