金属有机化合物化学气相沉积法制备铱薄膜的研究

• 作者: 王云 胡昌义 蔡宏中 陈力
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 金属有机化合物化学气相沉积 铱 薄膜
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 200-204
• 页数: 5页
• 分类号: TF834
• 字数: 3421字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2009.02.013

摘要

以乙酰丙酮铱为前驱体,采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术在钼基体上制备了铱薄膜.研究了铱的沉积速率与基体温度、乙酰丙酮铱的加热温度和运载气体(Ar)流速等沉积参数的关系.铱薄膜的沉积速率与沉积温度之间的关系不符合Arrhenius方程:沉积速率与绝对温度的倒数呈抛物线关系,当温度为750℃时,铱的沉积速率达到最大值,基体温度对薄膜质量有显著影响;随着以乙酰阿酮铱加热温度的升高,铱的沉积速率直线增加;而Ar流速的增大则显著减小铱的沉积速率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡昌义		26	117	7.0	9.0
2	王云		6	34	3.0	5.0
3	陈力		24	212	9.0	13.0
4	蔡宏中		19	82	6.0	8.0