基于田口方法的铌酸锂基片CMP工艺研究

• 作者: 吕迅 郁炜
• 来源期刊: 轻工机械
• 学科: 工学
• 关键词: 铌酸锂基片 化学机械抛光 田口方法
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 新设备·新材料·新方法
• 页码范围: 95-97
• 页数: 3页
• 分类号: TG662
• 字数: 1646字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-2895.2009.01.027

摘要

化学机械抛光(CMP)是获得超平滑无损伤铌酸锂基片的有效加工方式.其中抛光液pH值、加工载荷和抛光盘转速是影响铌酸锂基片加工表面质量的重要因素.文章采用田口方法对这3个重要影响因素进行了优化设计,得到以表面粗糙度为评价条件的综合最优抛光参数.实验分析表明,当抛光液pH值为10.8,加工载荷90 kPa.抛光盘转速50r/min时,经过3 h的抛光后,可以获得超平滑无损伤的铌酸锂基片(Ra为1mm).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕迅	浙江工业大学机械制造及自动化教育部重点实验室	19	123	6.0	10.0