铌酸锂CMP速率的影响因素分析

• 作者: 刘玉岭 崔春翔 檀柏梅 牛新环 韩丽丽
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 铌酸锂 CMP 去除速率 抛光液
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 574-578
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 3560字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.148

摘要

对铌酸锂晶片平整化加工的CMP机理进行了分析,加速质量传输是CMP获得完美表面的关键,化学反应是CMP过程的控制因素,增强化学反应可提高CMP速率.通过对不同抛光液的pH值、磨料浓度及抛光压力、流量等的实验研究,分析讨论了各因素对CMP速率的影响机制,并得出优化的CMP方案.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	檀柏梅		85	534	13.0	18.0
2	刘玉岭		263	1540	17.0	22.0
3	崔春翔		136	1160	18.0	27.0
4	牛新环		69	406	10.0	17.0
5	韩丽丽		3	14	2.0	3.0