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摘要:
对铌酸锂晶片平整化加工的CMP机理进行了分析,加速质量传输是CMP获得完美表面的关键,化学反应是CMP过程的控制因素,增强化学反应可提高CMP速率.通过对不同抛光液的pH值、磨料浓度及抛光压力、流量等的实验研究,分析讨论了各因素对CMP速率的影响机制,并得出优化的CMP方案.
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文献信息
篇名 铌酸锂CMP速率的影响因素分析
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 铌酸锂 CMP 去除速率 抛光液
年,卷(期) 2007,(z1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 574-578
页数 5页 分类号 TN305.2
字数 3560字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.148
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 檀柏梅 85 534 13.0 18.0
2 刘玉岭 263 1540 17.0 22.0
3 崔春翔 136 1160 18.0 27.0
4 牛新环 69 406 10.0 17.0
5 韩丽丽 3 14 2.0 3.0
传播情况
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引文网络
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CMP
去除速率
抛光液
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
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