中子闪烁探测器前端电子学的抗饱和改进

• 作者: 李锋 林成生 梁福田 江晓 金革 陈炼
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: ICF 前端电子学 抗饱和 闪烁探测器
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 粒子束技术
• 页码范围: 291-296
• 页数: 6页
• 分类号: TL82
• 字数: 2844字
• 语种: 中文

摘要

ICF实验会产生大量X射线和γ射线,其在光电倍增管(PMT)中产生的脉冲信号过大,导致前端电子学电路饱和,严重影响电路的正常工作和中子飞行时间的测量.结合前端电子学系统的结构,对电路饱和的原因进行了深入分析,提出了非线性抗饱和电路改进方案,并进行了仿真和实验研究.仿真结果表明,该设计方案能够大幅衰减大信号而确保小信号的通过.信号通过后电路基线能在35 ns内恢复;电路的实测结果与仿真结果基本相同.这表明:采取的方案简洁有效,能够确保输入高达数+Ⅴ脉冲的情况下电路的正常工作.目前这一电路已经得到应用,并将安装在某大型激光原型的大阵列中子探测器上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	金革	中国科学技术大学安徽省物理电子学重点实验室	52	219	8.0	11.0
2	李锋	中国科学技术大学安徽省物理电子学重点实验室	154	2889	26.0	50.0
3	江晓	中国科学技术大学安徽省物理电子学重点实验室	9	55	4.0	7.0
4	林成生	中国科学技术大学安徽省物理电子学重点实验室	1	4	1.0	1.0
5	陈炼	中国科学技术大学安徽省物理电子学重点实验室	2	7	2.0	2.0
6	梁福田	中国科学技术大学安徽省物理电子学重点实验室	5	17	3.0	4.0