Ni掺杂PtAl2合金电子结构的第一性原理计算

• 作者: 张昆华 潘勇 管伟明 陈敬超 陈松
• 来源期刊: 中国材料科技与设备
• 学科: 工学
• 关键词: 第一性原理 杂质形成能 电子结构 PtAl2合金
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 页码范围: 64-66
• 页数: 3页
• 分类号: TG146.2

摘要

采用第一性原理的密度泛函理论方法从杂质形成能、电荷布居、电子结构等几个方面研究了PtAl2合金的掺杂效应。结果发现，Ni置换Pt元素掺杂形成能的绝对值要低于Ni置换A1的掺杂形成能。进一步从电子结构分析，两者在费米面附近的电子主要是由Pt的4p电子轨道，Ni的3d电子轨道以及部分Al的3p电子轨道上的电子贡献，但前者在费米能附近的反应剧烈程度要高于后者，这说明在PtAl2合金的掺杂中，Ni元素更容易置换Pt原子与Al生成NiAl合金。