制备工艺对多孔Si3N4陶瓷介电性能的影响

• 作者: 周万城 朱振峰 李军奇 罗发 马建中
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 工学
• 关键词: 多孔氮化硅陶瓷 成孔剂 冰冻-干燥 介电性能
• 年，卷（期）: 2009,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文,英文
• 页码范围: 1443-1446
• 页数: 4页
• 分类号: TQ174
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0454-5648.2009.08.032

摘要

采用添加成孔剂和冰冻-干燥法制备具有不同气孔率(30%～60%)的多孔Si3N4陶瓷,研究了不同制备工艺对多孔Si3N4陶瓷介电性能的影响.结果表明:不同的成型工艺制备出具有不同孔分布的氮化硅多孔陶瓷,添加成孔剂制备的多孔陶瓷具有较大的孔,洞分布在致密的基体上:冰冻-干燥法制备的多孔陶瓷具有复合孔分布.对样品的介电特性的研究表明,随着样品的气孔率增加,其介电常数和介电损耗减小;添加成孔剂制各样品的介电常数小于冰冻-干燥法制备样品,而其介电损耗较大,多孔Si3N4陶瓷的介电常数和介电损耗分别在5.21～2.91和9.6×10-3～2.92×10-3范围内变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗发	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	168	1535	19.0	30.0
2	周万城	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	206	1931	22.0	34.0
3	朱振峰	陕西科技大学材料科学与工程学院	109	1085	17.0	27.0
4	马建中	陕西科技大学材料科学与工程学院	295	2193	21.0	29.0
5	李军奇	陕西科技大学材料科学与工程学院	30	125	8.0	10.0