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摘要:
基于Slonczewski的自由电子近似理论,利用转移矩阵的方法计算了铁磁层/有机层/绝缘层/铁磁层磁性多层结构的隧穿磁电阻(tunneling magnetic resistance,TMR).保持有机层的厚度以及绝缘层的势垒高度不变,分别计算了在同一个有机层势垒高度且不同的自旋过滤因子β下的TMR随绝缘层厚度的变化;同时,还研究了在有机层和绝缘层的厚度不变,不同的β下,TMR随有机层势垒U的变化.结果表明,选取适当的β和绝缘层厚度能够获得大的TMR值;TMR随有机层势垒U的增加而增大.我们的计算结果对有机自旋注入、输运以及设计新的有机自旋电子器件的研究有一定的指导意义.
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文献信息
篇名 铁磁/有机/绝缘/铁磁多层膜的隧道磁电阻研究
来源期刊 中国科学G辑 学科
关键词 铁磁体 有机体 绝缘层 隧穿磁电阻(TMR)
年,卷(期) 2009,(11) 所属期刊栏目 论文
研究方向 页码范围 1634-1639
页数 6页 分类号
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 徐明 17 78 6.0 8.0
2 刘杰 20 31 3.0 4.0
3 胡志刚 3 16 2.0 3.0
4 张佩佩 2 0 0.0 0.0
5 陈尚荣 2 0 0.0 0.0
6 周勋 2 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
铁磁体
有机体
绝缘层
隧穿磁电阻(TMR)
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
中国科学(物理学 力学 天文学)
月刊
1674-7275
11-5848/N
北京东黄城根北街16号
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