铀表面脉冲偏压MSIP铝镀层的电化学腐蚀行为

• 作者: 刘清和 张鹏程 王庆富 王晓红 郎定木 陈林
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 贫铀 铝镀层 电化学腐蚀 磁控溅射离子镀 脉冲偏压
• 年，卷（期）: 2009,（7）
• 所属期刊栏目: 化学
• 页码范围: 594-599
• 页数: 6页
• 分类号: TG174.36
• 语种: 中文

摘要

采用脉冲偏压磁控溅射离子镀(MSIP)技术在贫铀表面制备铝镀层,利用电化学测试技术、扫描电镜(SEM)及X射线能谱(EDS)对铝镀层在50μg/g Cl-水溶液中的电化学腐蚀行为进行研究.结果表明:铝镀层的腐蚀电位-534.8 mV高于贫铀的腐蚀电位-641.2 mV,它对贫铀是一种阴极性镀层;镀铝贫铀样品的极化电阻和电化学阻抗幅值远大于贫铀,腐蚀电流远小于贫铀,铝镀层对贫铀基体具有良好的防腐蚀性能;镀铝贫铀样品的腐蚀特征为局部腐蚀,并出现镀层破裂、剥落,抗腐蚀性能变差;铝/铀界面伪扩散层具有一定的抗腐蚀能力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郎定木		40	144	8.0	9.0
2	王庆富		7	25	3.0	4.0
3	张鹏程		35	135	7.0	8.0
4	陈林		55	229	8.0	13.0
5	刘清和		11	87	6.0	9.0
6	王晓红		13	80	6.0	8.0