芴基共聚物共混与InGaN基发光二极管杂合的白光发射

• 作者: 侯琼 李述体 章勇 范广涵 郑树文
• 来源期刊: 华南师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: InGaN 共轭聚合物 白光
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 页码范围: 57-60
• 页数: 4页
• 分类号: O463+.1
• 字数: 2553字
• 语种: 中文

摘要

利用红光共聚物(PFO-DBT15)和绿光共聚物共混膜作InGaN基蓝光芯片的荧光下转换材料,PFO-DBT15和PFO-BT35是9,9-二辛基芴(DOF)分别与4,7-二噻吩-2,1,3-苯并噻二唑(DBT)和2,1,3-苯并噻唑(BT)无规共聚的芴基共聚物,通过调节PFO-DBT15与PFO-BT35共混比例实现了有效的共轭聚合物/InGaN发光二极管杂合的白光发射. 这种杂合器件在20 mA电流驱动下相关的色坐标、色温和色散指数分别是(0.34,0.32), 6 798 K和85.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范广涵	华南师范大学光电子材料与技术研究所	147	1064	16.0	26.0
2	李述体	华南师范大学光电子材料与技术研究所	39	180	7.0	11.0
3	郑树文	华南师范大学光电子材料与技术研究所	33	128	7.0	8.0
4	章勇	华南师范大学光电子材料与技术研究所	37	273	8.0	16.0
5	侯琼	华南师范大学化学与环境学院	6	20	3.0	4.0