光敏BJMOSFET的物理模型及数值模拟

• 作者: 张国梁 曾云 曾健平 王太宏 谢海情
• 来源期刊: 湖南大学学报（自认科学版）
• 关键词: 光电晶体管 BJMOSFET 物理模型 数值模拟
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 机电工程
• 页码范围: 47-50
• 页数: 4页
• 分类号: TN364
• 语种: 中文

摘要

基于SOI薄膜,提出一种引入P+N注入结的光敏BJMOSFET(Bipolar Junction Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)结构.在此光敏器件中,栅电压使薄膜耗尽但不反型,光生载流子的复合可以忽略.根据基本的半导体方程,建立该器件的物理模型.数值模拟结果显示:在光敏BJMOSFET中,光生电子和空穴都参与导电,和传统的MOS管相比具有较高的灵敏度.此外,它能消除CMOS工艺下PN结大的暗电流,完全与CMOS工艺兼容.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王太宏	湖南大学物理与微电子科学学院	38	322	11.0	16.0
2	谢海情	湖南大学物理与微电子科学学院	20	113	6.0	9.0
3	曾健平	湖南大学物理与微电子科学学院	90	672	12.0	22.0
4	曾云	湖南大学物理与微电子科学学院	102	899	13.0	27.0
5	张国梁	湖南大学物理与微电子科学学院	3	7	1.0	2.0