Cu—Cr—Zr合金强化机理电子理论研究

• 作者: 刘贵立 杨杰
• 来源期刊: 中国材料科技与设备
• 学科: 工学
• 关键词: 递归法 强化 晶界
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 页码范围: 59-62
• 页数: 4页
• 分类号: TG111.1

摘要

通过自编软件建立了Cu合金液体、位错、晶界等原子集团模型，采用递归法计算了Cu合金电子结构。研究表明：Y在晶粒、表面、液体的环境敏感镶嵌能依次降低，Y从晶粒内向晶粒表面、液体Cu中扩散。扩散过程中Y原子填补在Cu晶粒表面缺陷处，阻碍Cu原子结晶，同时进入液体中的Y在晶粒周围形成含有高浓度Y的薄层，使晶粒生长受阻，晶粒细化。Sn向位错扩散，抑制Cr的沉淀析出，并能钉扎位错的攀移运动，推迟回复和再结晶。S在晶界偏析，使晶界结合强度降低。偏聚在晶界的S可将合金中的Zr吸附到晶界，使晶界得到强化。Cu晶粒、晶界与位错处的费米能级不同，电子在这些区域之间发生偏移，使合金内产生微电场。微电场对电子产生散射作用，使合金电阻增大。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘贵立	沈阳工业大学建筑工程学院	90	606	14.0	19.0
2	杨杰	沈阳工业大学建筑工程学院	6	12	2.0	3.0