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基于线性曲率校正技术的低电压带隙基准源设计
基于线性曲率校正技术的低电压带隙基准源设计
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
低电压
带隙基准电压
线性曲率校正
摘要:
采用电流求和取代传统电压求和的方法设计了一款低基准电压输出的带隙基准电压源电路,同时提出一种线性化P-N结正向导通电压(VBE)的温度曲率校正技术,保证了基准电压的低温漂和高精度.整个电路采用TSMC 0.6μm BCD工艺设计实现,芯片面积为0.2 mm2.在Cadence环境下使用Spectre对电路进行了模拟仿真,仿真结果表明:该基准电路可在低至1.1 V的电源电压下正常工作;在-20℃~120℃温度范围内,温度系数为9.1×10-6/℃,PSRR为-78 dB.在典型的1.5 V电源电压下,基准输出电压可调节范围为0.165~1.25 V.
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带隙基准源
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VPTAT
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文献信息
篇名
基于线性曲率校正技术的低电压带隙基准源设计
来源期刊
电子器件
学科
工学
关键词
低电压
带隙基准电压
线性曲率校正
年,卷(期)
2009,(5)
所属期刊栏目
纳米、固态电子器件
研究方向
页码范围
897-900
页数
4页
分类号
TN432
字数
3136字
语种
中文
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带隙基准电压
线性曲率校正
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子器件
主办单位:
东南大学
出版周期:
双月刊
ISSN:
1005-9490
CN:
32-1416/TN
开本:
大16开
出版地:
南京市四牌楼2号
邮发代号:
创刊时间:
1978
语种:
chi
出版文献量(篇)
5460
总下载数(次)
21
总被引数(次)
27643
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