篇名 | The leakage current mechanisms in the Schottky diode with a thin Al layer insertion between Al0.245Ga0.755N/GaN heterostructure and Ni/Au Schottky contact | ||
来源期刊 | 中国物理B(英文版) | 学科 | |
关键词 | gate leakage current interface states tunnelling current thermionic field emission current | ||
年,卷(期) | 2009,(4) | 所属期刊栏目 | |
研究方向 | 页码范围 | 1614-1617 | |
页数 | 4页 | 分类号 | |
字数 | 语种 | 英文 | |
DOI |