双异质结扩展波长InGaAs PIN光电探测器暗电流研究

• 作者: 张永刚 李好斯白音 李成 李耀耀 王凯 顾溢
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 探测器 暗电流 数字递变超晶格 InGaAs
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 807-810,822
• 页数: 5页
• 分类号: TN312.4
• 语种: 中文

摘要

模拟分析了三种不同结构的双异质结扩展波长In_(0.78)Ga_(0.22)AS PIN光电探测器在室温下的暗电流特性,并与器件的实际测量结果进行了比较和讨论.结果表明,对于扩展波长的探测器,零偏压附近暗电流主要为反向扩散电流,随着反向偏压增加,产生复合电流和欧姆电流逐渐起主要作用.在InAlAs/InGaAs异质界面处引入的数字递变超晶格以及外延初始生长的InP缓冲层能够有效地改善探测器的暗电流特性.